Рассчитать для невырожденных электронов полупроводника при температуре 300К коэффициент диффузии, если концентрация ионов примеси 10^15 см^-3, эффективное сечение рассеяния электронов на ионах примеси S=1.0 10^-15 м^2. Массу электронов принять равной 0.07 массы электронов в вакууме.
D = v * l
где:
D - коэффициент диффузии
v - средняя скорость частицы
l - длина свободного пробега
Для начала, нужно рассчитать среднюю скорость частицы. В классической физике, средняя скорость, с которой частица перемещается, определяется как:
v = √(2 * k * T / m)
где:
k - постоянная Больцмана (1.38 * 10^-23 Дж/К)
T - температура (300 К)
m - масса электрона (0.07 * массы электрона в вакууме)
Подставляя значения, получаем:
v = √(2 * (1.38 * 10^-23 Дж/К) * (300 К) / (0.07 * массы электрона в вакууме))
Теперь нужно рассчитать длину свободного пробега. Длина свободного пробега обозначает среднее расстояние между столкновениями частицы. Его можно рассчитать по формуле:
l = 1 / (n * S)
где:
n - концентрация ионов примеси (10^15 см^-3)
S - эффективное сечение рассеяния электронов на ионах примеси (1.0 * 10^-15 м^2)
Для удобства переведем концентрацию ионов примеси из см^-3 в м^-3:
n = (10^15) * (100^3)
Подставляя значения, получаем:
l = 1 / ((10^15) * (100^3) * (1.0 * 10^-15 м^2))
Теперь, когда у нас есть значения v и l, мы можем рассчитать коэффициент диффузии D:
D = v * l
Подставляя значения, получаем окончательный ответ.