Крутизна (transconductance) полевого транзистора - это показатель, определяющий, насколько сильно изменяется ток стока транзистора при изменении напряжения на его затворе.
Для определения крутизны нам нужно использовать формулу:
gm = ΔIc / ΔVgs,
где gm - крутизна, ΔIc - изменение тока стока, ΔVgs - изменение напряжения на затворе транзистора.
В нашем случае, данные для расчета следующие:
ΔIc = 2,25 мА (миллиампер),
ΔVgs = 1,5 В (вольт).
Давайте подставим значения в формулу и рассчитаем крутизну:
gm = 2,25 мА / 1,5 В.
Миллиамперы делим на вольты - это даст нам единицу измерения крутизны, которая называется Сименс (S).
Выполняя арифметические действия, получим:
gm = 1,5 S.
Ответ: Крутизна характеристики полевого транзистора КП10ЗЛ равна 1,5 Сименса.
Важно понимать, что значение крутизны может меняться в зависимости от рабочих условий транзистора, таких как температура и напряжение питания. Также отметим, что данная формула является упрощенной моделью и не учитывает множество внешних факторов, которые могут влиять на крутизну реального транзистора.
Крутизна (transconductance) полевого транзистора - это показатель, определяющий, насколько сильно изменяется ток стока транзистора при изменении напряжения на его затворе.
Для определения крутизны нам нужно использовать формулу:
gm = ΔIc / ΔVgs,
где gm - крутизна, ΔIc - изменение тока стока, ΔVgs - изменение напряжения на затворе транзистора.
В нашем случае, данные для расчета следующие:
ΔIc = 2,25 мА (миллиампер),
ΔVgs = 1,5 В (вольт).
Давайте подставим значения в формулу и рассчитаем крутизну:
gm = 2,25 мА / 1,5 В.
Миллиамперы делим на вольты - это даст нам единицу измерения крутизны, которая называется Сименс (S).
Выполняя арифметические действия, получим:
gm = 1,5 S.
Ответ: Крутизна характеристики полевого транзистора КП10ЗЛ равна 1,5 Сименса.
Важно понимать, что значение крутизны может меняться в зависимости от рабочих условий транзистора, таких как температура и напряжение питания. Также отметим, что данная формула является упрощенной моделью и не учитывает множество внешних факторов, которые могут влиять на крутизну реального транзистора.