1.Сопротивление уменьшается при охлаждении у 1) германия, железа; 2)кремния , железа;
3)ртути, цинка; 4)кремния , германия.
2. В полупроводниках n-типа имеется 1) донорная примесь, в результате чего проводимость становится дырочной ;
2) донорная примесь, в результате чего проводимость становится электронной ;
3) акцепторная примесь, в результате чего проводимость становится дырочной ;
4) акцепторная примесь, в результате чего проводимость становится электронной.
3.Преимущественно дырочную проводимость полупроводнику обеспечит введение
1) акцепторной примеси с валентностью <4; 2) акцепторной примеси с валентностью >4;
3) донорной примеси с валентностью <4; 4) донорной примеси с валентностью >4; .
4. Если р-n-переход надо открыть, следует область n-типа подключить к
1)положительному полюсу источника тока; 2) отрицательному полюсу источника тока.
5. Односторонней проводимостью обладает 1)транзистор; 2)светодиод; 3)диод