1.Сопротивление уменьшается при нагревании у 1) германия, железа; 2) цинка, железа;
3)кремния , германия; 4)ртути, цинка;
2. В полупроводниках р-типа имеется 1) донорная примесь, в результате чего проводимость становится дырочной ;
2) акцепторная примесь, в результате чего проводимость становится дырочной ;
3) донорная примесь, в результате чего проводимость становится электронной ;
4) акцепторная примесь, в результате чего проводимость становится электронной.
3.Преимущественно электронную проводимость полупроводнику обеспечит введение
1) донорной примеси с валентностью >4; 2) акцепторной примеси с валентностью >4;
3) донорной примеси с валентностью <4; 4) акцепторной примеси с валентностью <4.
4. Если р-n-переход надо закрыть, следует область р-типа подключить к
1)положительному полюсу источника тока; 2) отрицательному полюсу источника тока.
5. Устройством с двумя р-n-переходами является 1)светодиод; 2) диод; 3) транзистор