1. Разрешённая зона – это совокупность близких друг к другу энергетических
уровней, «расстояние» между которыми
1) много больше значений энергии уровней;
2) примерно равно энергии уровней;
3) много меньше значений энергии уровней;
4) варьируется в широком диапазоне в зависимости от температуры.
2. Укажите номер правильного утверждения: в формуле для функции
распределения Ферми-Дирака, определяющей вероятность заполнения
энергетических уровней электронами в металле (k В – постоянная Больцмана),
буквой а обозначена
1) энергия Ферми.
2) произвольное значение кинетической энергии электрона в металле.
3) потенциальная энергия электронов в металле.
4) температура.
3. Согласно закону Дюлонга-Пти молярная теплоёмкость атомных кристаллов
1) пропорциональна T 2) пропорциональна T 3
3) пропорциональна T 1/2 4) среди приведённых правильного ответа
нет
4. Вольт-амперная характеристика металлического
резистора приведена на рисунке под номером
1) 1 2) 2 3) 3 4) 4
5. Укажите правильные утверждения.
А. Удельная электропроводность полупроводника возрастает при увеличении
температуры.
В. При внутреннем фотоэффекте в собственном полупроводнике электроны
переходят из валентной зоны в зону проводимости.
С. Концентрации свободных электронов и дырок в собственном
полупроводнике увеличиваются с ростом температуры.
D. Зона проводимости полупроводника при Т = 0 К заполнена электронами.
1) С,D 2) А,В,C 3) А,С,D 4) А,В

Добрый день, давайте по порядку разберем каждый вопрос и найдем правильные ответы.

1. Вопрос: Разрешённая зона – это совокупность близких друг к другу энергетических уровней, «расстояние» между которыми:
1) много больше значений энергии уровней;
2) примерно равно энергии уровней;
3) много меньше значений энергии уровней;
4) варьируется в широком диапазоне в зависимости от температуры.

Ответ: Правильный ответ - 2) примерно равно энергии уровней.

Обоснование: Разрешенная зона энергетических уровней в твердом теле представляет собой диапазон энергий, в котором возможно нахождение электрона. Энергия уровней внутри разрешенной зоны примерно равна друг другу. Это объясняет возможность прохождения электронами через разрешенную зону и формирования электрического тока.

2. Вопрос: Укажите номер правильного утверждения: в формуле для функции распределения Ферми-Дирака, определяющей вероятность заполнения энергетических уровней электронами в металле (k В – постоянная Больцмана), буквой 'а' обозначена:
1) энергия Ферми.
2) произвольное значение кинетической энергии электрона в металле.
3) потенциальная энергия электронов в металле.
4) температура.

Ответ: Правильный ответ - 1) энергия Ферми.

Обоснование: Функция распределения Ферми-Дирака описывает вероятность нахождения электрона на определенном энергетическом уровне в металле при заданной температуре. Буква 'а' в формуле обозначает энергию Ферми, которая является характеристикой структуры энергетических уровней металла.

3. Вопрос: Согласно закону Дюлонга-Пти молярная теплоёмкость атомных кристаллов:
1) пропорциональна T.
2) пропорциональна T^3.
3) пропорциональна T^(1/2).
4) среди приведённых правильного ответа нет.

Ответ: Правильный ответ - 4) среди приведенных правильного ответа нет.

Обоснование: Закон Дюлонга-Пти описывает зависимость молярной теплоемкости атомных кристаллов от температуры. По закону Дюлонга-Пти, молярная теплоемкость атомных кристаллов не пропорциональна ни T, ни T^3, ни T^(1/2), так как зависимость молярной теплоемкости от температуры может быть более сложной и может варьироваться в зависимости от конкретного материала.

4. Вопрос: Вольт-амперная характеристика металлического резистора приведена на рисунке под номером:
1) 1.
2) 2.
3) 3.
4) 4.

Ответ: Правильный ответ - Нужно уточнить номер рисунка, чтобы дать точный ответ.

Обоснование: Для ответа на этот вопрос необходимо видеть рисунок с вольт-амперной характеристикой металлического резистора. Номер рисунка не предоставлен в вопросе, поэтому невозможно дать правильный ответ без рисунка.

5. Вопрос: Укажите правильные утверждения.
А. Удельная электропроводность полупроводника возрастает при увеличении температуры.
В. При внутреннем фотоэффекте в собственном полупроводнике электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости.
С. Концентрации свободных электронов и дырок в собственном полупроводнике увеличиваются с ростом температуры.
D. Зона проводимости полупроводника при Т = 0 К заполнена электронами.

Ответ: Правильный ответ - 3) А,С,D.

Обоснование:
А. Удельная электропроводность полупроводника действительно возрастает при увеличении температуры. Высокая температура приводит к тому, что больше электронов приобретают достаточно энергии для передвижения и вкладывания в электрический ток.
В. При внутреннем фотоэффекте электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости полупроводника. Это происходит при взаимодействии фотонов с полупроводником.
С. Концентрации свободных электронов и дырок в собственном полупроводнике действительно увеличиваются с ростом температуры. Высокая температура приводит к возбуждению электронов из валентной зоны в зону проводимости, создавая дополнительные свободные носители заряда.
D. При Т = 0 K зона проводимости полупроводника полностью заполнена электронами. Это связано с конечной ширины запрещенной зоны полупроводника и энергетической структурой электронных уровней.

Вот ответы на все вопросы. Если у вас остались какие-либо вопросы или требуется дополнительное объяснение, пожалуйста, сообщите.