1) Для полупроводника p-типа при Т>0 справедливо следующее утверждение.

А. Число электронов равно числу дырок
В. Число электронов много больше числа дырок
С. Число дырок много больше числа электронов
Д. Число электронов очень велико, число дырок равно нулю
Е. Число дырок очень велико, число электронов рано нулю

2) Толщина p−n-перехода:
А. Растет с ростом обратного напряжения, падает с ростом прямого
В. Растет с ростом прямого напряжения, падает с ростом обратного
С. Возрастает с ростом и прямого, и обратного напряжения
Д. Падает с ростом и прямого, и обратного напряжения

3) Для полупроводника n-типа при Т>0 справедливо следующее утверждение.
А. Число электронов равно числу дырок
В. Число электронов много больше числа дырок
С. Число дырок много больше числа электронов
Д. Число электронов очень велико, число дырок равно нулю
Е. Число дырок очень велико, число электронов рано нулю

Semen200000000    3   26.04.2020 10:44    125