1. Назначение оксидных слоев в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем.

2. Методы получения пленок SiO2 при окислении кремния (сухое, влажное, пирогенное окисление).

3. Сравнительная характеристика технологических параметров окисления кремния и свойств получаемых пленок.

4. Вакуумные и другие методы осаждения пленок SiO2.

5. Выбор метода получения SiO2 для формирования пленок заданного качества и назначения.

6. Использование и получение пленок Si3N4.

Maizer01    1   04.06.2020 02:03    8