В результате проведения диффузии фосфора на поверхности и торцах кремниевой пластины толщиной около 200 мкм формируется слой n-типа, проникающий на глубину всего около 0,5 мкм. Обычно на лицевой поверхности располагается токосъемная решетка, а на тыльной – сплошной контакт. В результате на лицевой поверхности пластины «выращивается» тончайшая пленка нитрида кремния, которая обладает требуемыми свойствами.
В результате проведения диффузии фосфора на поверхности и торцах кремниевой пластины толщиной около 200 мкм формируется слой n-типа, проникающий на глубину всего около 0,5 мкм. Обычно на лицевой поверхности располагается токосъемная решетка, а на тыльной – сплошной контакт. В результате на лицевой поверхности пластины «выращивается» тончайшая пленка нитрида кремния, которая обладает требуемыми свойствами.