Вряду элементов si-ge-sn 1) увеличиваеться число заполняемых электронных слоёв 2) уменьшаеться число протонов в ядре 3)увеличиваеться значение электроотрицательности 4)усиливается основный характер высших оксидов 5)увеличиваеться число электронов на внешнем слое

Алина1ззз    1   31.05.2019 06:40    2