НУЖНО ЗА ОТВЕТ 1) От чего зависит значение примесной электропроводности кристалла?
А. от материала примеси. Б. от количества примеси. В. От того и другого.
2) К какому типу относится кристалл кремния с примесью индия?
А. к р - типу. Б. к n – типу.
3) Как изменяется ширина обедненного слоя с уменьшением концентрации примесей?
А. не меняется. Б. уменьшается. В. Увеличивается.
4) Чем объясняется нелинейность вольт – амперной характеристики p – n перехода?
А. дефектами кристаллической структуры. Б. вентильными свойствами.
5) Какой пробой опасен для полупроводникового диода?
А. тепловой. Б. электрический. В. Тот и другой.
6) Чем объясняется ёмкостные свойства p-n перехода?
А. возникновением двух разноимённых объёмных зарядов. Б. недостаточно плотным соединением кристаллов разного типа.
7) Какие буквы используются для маркировки кремниевых диодов?
А. КП. Б. АД. В. КД. С. ГД.
8) Какая ветвь характеристики используется в стабисторе?
А. прямая. Б. обратная. В. И та и другая
9) Для чего используется в электронике варикап?
А. для выпрямления переменного тока. Б. как элемент колебательного контура. В. Как сглаживающий фильтр.
10) Какими буквами маркируют туннельные диоды?
А. КД. Б. ГД. В. АИ. С. КВ.
11) В каком направлении включают коллекторный и эмиттерный переходы транзистора?
А. эмиттерный в прямом, коллекторный в обратном. Б. оба в прямом направлении. В. Эмиттерный в обратном, коллекторный в прямом.
12) Какие конструктивные особенности отличают базу от эмиттера и коллектора?
А. толщина. Б. тип примеси. В. концентрация примеси. С. все указанные выше.
13) Как называется зависимость Iк = f( Iэ ) при Uк = const ?
А. входной характеристикой. Б. выходной характеристикой. В. переходной характеристикой.
14) Семейство каких характеристик можно получить, меняя Iэ ?
А. входных характеристик. Б. выходных характеристик. В. переходных характеристик.
15) Как изменяется ток стока полевого транзистора включённого по схеме с общим стоком при увеличении напряжения на затворе?
А уменьшается. Б. увеличивается. В. не меняется.
16) Какие буквы используются в маркировке полевых транзисторов?
А. КТ. Б. КП. В. ГТ. С. КД.
17) Какие носители зарядов используются при работе тиристора?
А. основные. Б. неосновные. В. и те и другие.
18) Какими носителями зарядов обусловлен ток в фоторезисторе?
А. дырками. Б. электронами. В. и дырками, и электронами.
19) При каких значениях светового потока фоторезистор обладает максимальной чувствительностью?
А. при малых. Б. при больших. В. чувствительность не зависит от светового потока.
20) Как повлияет уменьшение частоты питающего напряжения на работу ёмкостного сглаживающего фильтра?
А. улучшится. Б. ухудшится. В. сглаживание не изменится.
21) Какое соотношение не относится к схеме Ларионова?
А. Uo = 1,17U. Б. Um = 1,57 Uo. В. Iод = Io/ 2. С. Io = 0,636 Im.
22) Как изменяется коэффициент пульсации в схеме с ёмкостным фильтром, если уменьшать сопротивление нагрузки?
А. не изменяется. Б. увеличивается. В. уменьшается. С. для ответа не хватает данных.
23) Укажите максимально возможное значение постоянной составляющей выпрямленного тока в тиристорном двухполупериодном выпрямителе.
А. Io = 0,636 Im. Б. Io = 0,318 Im. В. Io = 0,9 Im. C. Io = 0,827 Im
24) Какая нагрузка используется в широкополосных усилителях напряжения?
А. резисторы. Б. трансформаторы. В индуктивность.
25) В каком диапазоне частот предпочтительно использовать избирательные усилители?
А. высоких Б. низких. В. и высоких и низких.
26) Первый каскад двух каскадного усилителя дает усиление 20 дБ , второй – 10 дБ. Какое общее усиление?
А. 200 дБ. Б. 30 дБ. В. 10 дБ.
27) Какой усилитель мощности дает максимальную мощность при прочих равных условиях с минимальными нелинейными искажениями?
А. однотактный с трансформатором. Б. двухтактный бестрансформаторный. В. двухтактный трансформаторный.
28) Применение отрицательной обратной связи …
А. улучшает частотную характеристику усилителя. Б. добавляет нелинейные искажения. В. уменьшает коэффициент усиления усилителя.
Выберите правильные продолжения.
29) Какой тип нагрузки обеспечивает наибольшее усиление в узком диапазоне частот?
А. резистивный. Б. LC контур. В . индуктивный.
30) Выберите какой из перечисленных транзисторов является высокочастотным
А. КТ 203А. Б. КТ 315Г. В. МП39Б.

Ответы

ibondarenk2013 24.01.2021 07:00

Объяснение:

Как то так

ПОКАЗАТЬ ОТВЕТЫ

карпать1картошку 24.01.2024 06:57

1) Значение примесной электропроводности кристалла зависит от материала примеси и количества примеси. Примесная электропроводность возникает благодаря дополнительным свободным электронам или дыркам, которые появляются при введении примесей в кристаллическую решетку. Значение примесной электропроводности будет зависеть от концентрации примеси (количества добавленных примесей) и от типа примеси (какие ионы добавлены в кристалл).

2) Кристалл кремния с примесью индия относится к n-типу. При добавлении примесей с пятым элементом в пятом направлении в кристаллическую решетку, образуется область с избытком свободных электронов, что делает этот тип полупроводникового материала n-типом.

3) С шириной обедненного слоя происходит обратная зависимость от концентрации примесей. Чем меньше концентрация примесей, тем шире обедненный слой, так как при малой концентрации примесей, свободных носителей заряда будет меньше, и обедненный слой будет распространяться дальше внутри материала.

4) Нелинейность вольт–амперной характеристики p–n перехода объясняется дефектами кристаллической структуры. Наличие дефектов может привести к возникновению локальных уровней, которые могут пропускать ток в нелинейном режиме.

5) Опасным для полупроводникового диода является электрический пробой. Тепловой пробой может возникнуть при превышении максимальной рабочей температуры, однако это не связано с характеристиками диода, а с условиями его эксплуатации.

6) Ёмкостные свойства p-n перехода объясняются возникновением двух разноименных объёмных зарядов на границе p- и n-областей. Это приводит к возникновению электрического поля между двумя областями и, как следствие, создает ёмкость на переходе.

7) Для маркировки кремниевых диодов используются буквы КД.

8) В стабисторе используется обратная ветвь характеристики.

9) В электронике варикап используется как элемент колебательного контура. Варикап имеет изменяемую ёмкость, которая может изменяться при изменении напряжения на нем.

10) Туннельные диоды маркируются буквами КД.

11) Коллекторный и эмиттерный переходы транзистора включаются эмиттерный в прямом, коллекторный в обратном направлении.

12) База отличается от эмиттера и коллектора толщиной, типом примеси и концентрацией примеси. Это все указанные выше конструктивные особенности отличают базу от эмиттера и коллектора.

13) Зависимость Iк = f(Iэ) при Uк = const называется входной характеристикой.

14) Семейство выходных характеристик можно получить, меняя Iэ.

15) Ток стока полевого транзистора увеличивается при увеличении напряжения на затворе.

16) В маркировке полевых транзисторов используются буквы КП.

17) При работе тиристора используются и основные, и неосновные носители зарядов.

18) Ток в фоторезисторе обусловлен движением и дырок, и электронов.

19) Максимальная чувствительность фоторезистора достигается при малых значениях светового потока.

20) Уменьшение частоты питающего напряжения ухудшит работу ёмкостного сглаживающего фильтра.

21) В схеме Ларионова не соответствует соотношение Io = 0,636 Im.

22) Коэффициент пульсации в ёмкостном фильтре уменьшится при уменьшении сопротивления нагрузки.

23) Максимально возможное значение постоянной составляющей выпрямленного тока в тиристорном двухполупериодном выпрямителе равно Io = 0,636 Im.

24) В широкополосных усилителях напряжения используются трансформаторы.

25) Избирательные усилители предпочтительно использовать в низком диапазоне частот.

26) Общее усиление двух каскадного усилителя с усилением 20 дБ в первом и 10 дБ во втором каскаде будет равно 30 дБ.

27) Двухтактный трансформаторный усилитель мощности обеспечивает максимальную мощность при минимальных нелинейных искажениях.

28) Применение отрицательной обратной связи улучшает частотную характеристику усилителя.

29) Наибольшее усиление в узком диапазоне частот обеспечивает LC контур.

30) Высокочастотным транзистором является МП39Б.

ПОКАЗАТЬ ОТВЕТЫ

Другие вопросы по теме Физика