Существенное уменьшение сопротивления полупроводников при нагревании объясняется: А) увеличением числа свободных

1. Скорость дрейфа носителей заряда, например, электронов, зависит, прежде всего, от напряжённости электрического поля в полупроводнике
 
где е − заряд электрона, Е − напряжённость электрического поля, τ − время свободного движения, me − масса электрона. При нагревании образца, параметры внешнего поля не изменяются, поэтому увеличения значения дрейфовой скорости не происходит.
2. При нагревании вещества, в соответствии с классической электродинамикой, возрастают амплитуды колебаний элементов кристаллической решётки, что способствует освобождению связанных электронов и переходе их в разряд свободных.